作者单位
摘要
1 油气藏地质及开发工程国家重点实验室(西南石油大学), 四川 成都 610500西南石油大学电气信息学院, 四川 成都 610500
2 西南石油大学电气信息学院, 四川 成都 610500
3 西南石油大学机电工程学院, 四川 成都 610500
由于分子结构的高相似性, 烃类气体混合物中各组分红外光谱谱峰重叠严重, 导致浓度的精确监测一直是化学计量学的难题。 为了应对这一挑战, 提出一种粗精选策略二进制灰狼优化(RSBGWO)算法, 用于优选红外光谱特征, 建立高精度定量分析模型。 该方法以交叉验证下光谱定量分析模型的均方根误差(RMSECV)平均值作为适应度函数值。 在粗选阶段, 进行第一次全局迭代, 更新α狼、 β狼和δ狼所选特征变量的位置信息; 在精选阶段, 结合α狼所选的特征变量以及剔除α狼未选中特征变量位置后的β狼和δ狼特征变量, 更新狼群位置信息, 逐步降低RMSECV值, 提取为全局最优特征波长, 并引入非线性收敛因子加快收敛速度。 该算法在采集的359个混合烷烃气体样本的红外光谱数据集上进行了实验测试并验证了所提算法的效果。 与bGWO和bPSO特征提取算法比较, 基于本文提出的RSBGWO算法建立的MLR模型在分析甲烷、 乙烷、 丙烷和二氧化碳气体浓度时, 特征选择数量均降低了96%以上, 预测均方根误差(RMSEP)均低于数据采集过程中所使用的配气系统的仪器误差, 相对预测偏差(RPD)均提高了15以上。 相对于全谱建模的MLR模型和PLS模型, 基于RSBGWO算法建立的MLR模型和PLS模型的预测精度有显著增高, 预测效果对定量分析模型的依赖性降低了。 实验结果表明, 提出的方法具有优秀的红外光谱特征提取能力, 能够明显提高定量分析模型的预测效果。 该方法能够促进光谱检测技术在生物制药、 食品化工、 油气勘探等领域的应用, 尤其是在含同系有机物混合物的应用场合。
粗精选策略 二进制灰狼优化算法 交叉验证 特征选择 红外光谱 定量分析 Rough and fine selection strategy Binary gray wolf optimization algorithm Cross validation Feature selection Infrared spectroscopy Quantitative analysis 
光谱学与光谱分析
2023, 43(10): 3067
作者单位
摘要
1 北京工业大学 信息学部 光电子技术教育部重点实验室,北京 100124
2 中国科学院半导体研究所,北京 100083
针对芯片原子钟(铯)用激光光源系统对垂直腔面发射激光器(VCSEL)模式及工作温度的需求,研制出可以高温工作的氧化限制型基横模 894.6 nm VCSEL。通过缩小VCSEL氧化孔直径至3 μm,限制VCSEL高阶横模激射,保证器件基横模低阈值电流工作。通过常温下腔模与材料增益失谐12 nm 的结构设计,使器件能够在50~65 ℃ 高温时,激射波长对准原子能级且工作模式稳定。实验所制备的VCSEL在工作温度为55 ℃、注入电流1.8 mA 时,激射波长达到 894.6 nm,边模抑制比(SMSR)大于35 dB,基横模功率为0.75 mW,具有11.4°的远场发射角。当温度为65 ℃时,器件SMSR大于25 dB,基横模功率大于0.1 mW。该高温基横模工作的VCSEL在芯片原子钟中具有重要的应用前景。
垂直腔面发射激光器 基横模 高温 铯原子钟 vertical cavity surface emitting laser base transverse mode high temperature cesium atomic clock 
红外与激光工程
2022, 51(5): 2021G007
作者单位
摘要
1 海军航空大学,山东 烟台 264001
2 海军驻洛阳地区航空设备军事代表室,河南 洛阳 471000
问题转化为最优控制问题; 采用Gauss伪谱法进行求解, 并分析了制导炸弹导引头启控点处的速度、弹道倾角对攻击区的影响。仿真结果表明: Gauss伪针对新型制导炸弹攻击区的求解问题, 建立了受约束条件下的制导炸弹动力学模型; 通过引入加权侧向射程和纵向射程的组合性能函数, 将攻击区的求解谱法可有效地解决制导炸弹攻击区的求解问题, 且炸弹攻击区随着速度、弹道倾角的增大而增大, 但当弹道倾角大于零时, 增加弹道倾角对攻击区的影响相对较小。
制导炸弹 Gauss伪谱法 攻击区 兵器科学与技术 guided bomb Gauss pseudo-spectral method attack area ordnance science and technology 
电光与控制
2017, 24(12): 16
Author Affiliations
Abstract
Designs of p-doped in quantum well (QW) barriers and specific number of vertically stacked QWs are proposed to improve the optical performance of GaN-based dual-wavelength light-emitting diodes (LEDs). Emission spectra, carrier concentration, electron current density, and internal quantum e±ciency (IQE) are studied numerically. Simulation results show that the e±ciency droop and the spectrum intensity at the large current injection are improved markedly by using the proposed design. Compared with the conventional LEDs, the uniform spectrum intensity of dual-wavelength luminescence is realized when a specific number of vertically stacked QWs is adopted. Suppression of electron leakage current and the promotion of hole injection e±ciency could be one of the main reasons for these improvements.
230.3670 Light-emitting diodes 260.5430 Polarization 300.6170 Spectra 
Chinese Optics Letters
2012, 10(6): 062302

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